着半导体制造技术的进步，传统的光刻胶技术已经难以满足日益严苛的制程要求。尤其是在100纳米乃至10纳米以下的制造节点，如何实现高分辨率、低线边缘粗糙度的光刻图形成为了行业的共性难题。

华中科技大学的研究团队通过创新的化学结构设计，成功研发出“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。这种新型光刻胶不仅在光刻图像形貌和线边缘粗糙度上表现优异，而且在space图案宽度值的